LM3481升压芯片知识分享
分享一颗升压芯片LM3481，适用于升压、SEPIC 和反激式变换器的控制场合。在需要电压抬升的电路中，BOOST,SEPIC,反激是三种非常常见的电路拓扑。作为电子设计人员，必须要了解电路中不同电源的处理，根据电气参数选择合适的电路芯片，以完成电路设计并负责设计的产品可靠运行。LM3481芯片采用10引脚VSSOP封装，最大驱动电流达到1A。在电源驱动拓扑中，其开关频率可以达到10Khz到1Mhz，升高开关频率可以有效降低整体电源电路的PCB占用尺寸。芯片可以通过电阻配置，调节电流限值。 芯片具有内置热关断，短路和过压等保护功能，其出色的节能关断模式可以最低达到5uA，同时内部软起动可以限制浪涌电流，提高EMC特性。芯片结温范围为-40度到125度，工作中超出范围会损坏器件。1. 电气特性输入电压：支持2.97V到48V宽范围输入。保护与控制功能：具备电流限值、热关断、内部软启动、电流模式运行、可调节欠压锁定（UVLO）及轻负载脉冲跳跃功能。关断电流：关断电流可最低至 5µA。
2.功能引脚分布ISEN：电流检测输入，连接外部检测电阻，检测外部检流电阻 的电压。UVLO：欠压锁定输出引脚，通过电阻分压器设置阈值。COMP：补偿引脚，连接电阻电容器件优化控制环路。FB：电压反馈引脚，检测输出电压的反馈信号，输入给内部 误差放大器。AGND：模拟地引脚，单点接地。FA/SYNC/SD：频率调节、同步及关断控制引脚，通过接入电 阻控制振荡频率，时钟同步输入引脚，此引脚高电 平持续超过30微秒会关闭器件输出。PGND：电源地，应可靠在PCB接地。DR：外部MOSFET的驱动引脚，连接外部 MOSFET 栅极。VCC：驱动器电源引脚，需接旁路电容，PCB布局时靠近引脚 放置。推荐0.47uf到4.7uf。VIN：电源输入引脚,旁路电容接地，靠近引脚。
3.芯片参数说明
功能定位：低侧 NFET 高性能控制器，支持高频开关，通过单电阻调节或外部时钟同步频率。控制架构：逐周期电流限制，集成斜率补偿（可通过外部电阻调整），支持过压、短路保护及节能关断模式。器件信息：VSSOP 封装，尺寸 3.00毫米×3.00毫米。热性能：热阻为 157.3°C/W。反馈引脚FB电压：典型值1.275V热关断：165度
4. 原理图和PCB封装 5. 电路设计指导
1.在Vcc电源处要放置旁路电容，layout布局电容靠近引脚2.VIN输入引脚要考虑到后端高压造成的瞬态影响，当电源走线较长时，应适当增加电容，保证对负载足够的响应能力。3.电源芯片的主回路走线应足够宽，保证电流过载能力。4.对于散热要重点考虑，尽可能多打接地孔，提高散热能力5.交流电路部分环路要尽可能小，这部分电路会产生很高的电磁辐射，要注意屏蔽。6.PGND和AGND要可靠连接到一起，尽可能连接到PCB完整地层
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