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[零组件/半导体] LM3481升压芯片知识分享

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分享一颗升压芯片LM3481,适用于升压、SEPIC 和反激式变换器的控制场合。在需要电压抬升的电路中,BOOST,SEPIC,反激是三种非常常见的电路拓扑。作为电子设计人员,必须要了解电路中不同电源的处理,根据电气参数选择合适的电路芯片,以完成电路设计并负责设计的产品可靠运行。
    LM3481芯片采用10引脚VSSOP封装,最大驱动电流达到1A。在电源驱动拓扑中,其开关频率可以达到10Khz到1Mhz,升高开关频率可以有效降低整体电源电路的PCB占用尺寸。芯片可以通过电阻配置,调节电流限值。
    芯片具有内置热关断,短路和过压等保护功能,其出色的节能关断模式可以最低达到5uA,同时内部软起动可以限制浪涌电流,提高EMC特性。芯片结温范围为-40度到125度,工作中超出范围会损坏器件。
1. 电气特性
输入电压:支持2.97V到48V宽范围输入。
保护与控制功能:具备电流限值、热关断、内部软启动、电流模式运行、可调节欠压锁定(UVLO)及轻负载脉冲跳跃功能。
关断电流:关断电流可最低至 5µA。

2.功能引脚分布
ISEN:电流检测输入,连接外部检测电阻,检测外部检流电阻            的电压。
UVLO:欠压锁定输出引脚,通过电阻分压器设置阈值。COMP:补偿引脚,连接电阻电容器件优化控制环路。
  FB:电压反馈引脚,检测输出电压的反馈信号,输入给内部             误差放大器。
AGND:模拟地引脚,单点接地。
FA/SYNC/SD:频率调节、同步及关断控制引脚,通过接入电                  阻控制振荡频率,时钟同步输入引脚,此引脚高电                  平持续超过30微秒会关闭器件输出。
PGND:电源地,应可靠在PCB接地。
DR:外部MOSFET的驱动引脚,连接外部 MOSFET 栅极。
VCC:驱动器电源引脚,需接旁路电容,PCB布局时靠近引脚            放置。推荐0.47uf到4.7uf。
VIN:电源输入引脚,旁路电容接地,靠近引脚。

3.芯片参数说明

功能定位:低侧 NFET 高性能控制器,支持高频开关,通过单电阻调节或外部时钟  同步频率。
控制架构:逐周期电流限制,集成斜率补偿(可通过外部电阻调整),支持过压、短路保护及节能关断模式。
器件信息:VSSOP 封装,尺寸 3.00毫米×3.00毫米。
热性能:热阻为 157.3°C/W。
反馈引脚FB电压:典型值1.275V
热关断:165度

4. 原理图和PCB封装
5. 电路设计指导

1.在Vcc电源处要放置旁路电容,layout布局电容靠近引脚
2.VIN输入引脚要考虑到后端高压造成的瞬态影响,当电源走线较长时,应适当增加电容,保证对负载足够的响应能力。
3.电源芯片的主回路走线应足够宽,保证电流过载能力。
4.对于散热要重点考虑,尽可能多打接地孔,提高散热能力
5.交流电路部分环路要尽可能小,这部分电路会产生很高的电磁辐射,要注意屏蔽。
6.PGND和AGND要可靠连接到一起,尽可能连接到PCB完整地层


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