领先17倍却卡在散热！AMD混合键合3D DRAM：能效碾压HBM、商用却遥遥无期

coolriselee · 发表于 2026-9-2 09:48

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9月2日，AMD在内部技术研讨会上披露基于混合键合技术的3D DRAM架构相关实验数据，该架构能效相比传统HBM堆栈最高可提升17倍。该技术放弃传统HBM的微凸块连接方案，采用铜-铜直接键合工艺，将DRAM芯片直接堆叠在XPU上方，可缩短数据搬运距离、提升互连密度与数据带宽。该技术是AMD在3D V-Cache技术基础上的延伸，目前距离大规模量产仍有较远距离，散热是其商业化的最大阻碍，相关稳定性难题亟待攻克，若散热问题得到解决，未来将彻底改写AI芯片和HPC处理器的内存架构。