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[业界/制造] 台积电“N2”SRAM良率超90%

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发表于 2025-7-30 23:22 | 显示全部楼层 |阅读模式

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台积电256MB SRAM的平均良率将超过90%,“N2P”和“N2X”工艺的开发也进展顺利。
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台积电于2025年6月11日举办“台积电2025日本技术研讨会”,为客户进行技术发表。台积电日本总经理小野寺诚、资深副总经理暨副共同营运长张晓强分别发表主题演讲,阐述台积电在先进制程方面的努力。
小野寺诚强调,我们正在进入“物理人工智能”时代,这是一种允许机器人和汽车自主行动的人工智能技术。据花旗集团估计,到2035年,全球将部署1.3亿个人工智能机器人,到2050年,这一数字将达到40亿个。其中,6.5亿个将是人形机器人。此外,预计到2030年,每10辆汽车中就有一辆将是自动驾驶汽车。
小野寺诚表示:“随着人工智能从云端向边缘计算的扩展,它将变得更加触手可及,重塑人工智能的格局。为了实现‘人工智能民主化’,我们需要更小、性能更高的晶体管、更强大的计算能力以及更高的能效。” 他补充道:“这正是台积电的优势所在。我们正在先进晶体管和异构架构领域不断创新,以满足日益增长的人工智能需求。”
台积电1997年在日本市场的销售额为1.5亿美元,但2010年已达到6亿美元,2024年将超过40亿美元。此外,该公司迄今为止的12英寸晶圆出货量已超过1200万片,由于近年来需求增加,预计2024年将超过149万片。小野寺介绍了台积电在日本积极投资招聘和研发设施的情况,并强调“台积电将提供业界最先进的技术,并支持客户的产品创新”。
23220309be9087.png “N2”将于2025年下半年量产
“毫无疑问,人工智能是半导体市场的热门词汇。人工智能正在从根本上改变半导体行业,”张晓强说道。“我在这个行业工作了大约30年,但我从未见过比这更令人兴奋的事情。”
台积电预测,到2030年,半导体市场规模将达到1万亿美元。高性能计算 (HPC) 将推动增长,占整个市场的45%,其次是智能手机(25%)、汽车(15%)和物联网(10%)。为了满足这一需求,台积电的N4、N3和N6RF工艺实现了强劲增长,这些工艺具有节能的计算性能和连接性。此外,数据中心的快速增长正在推动5纳米和3纳米设计的进步,并通过CoWoS和SoIC封装加速性能提升。
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至于2nm工艺,“N2”工艺正在准备量产,预计将于2025年下半年开始。张晓强谈到256MB SRAM的平均良率将超过90%。他还表示,“N2P”和“N2X”工艺的开发也进展顺利。
预定于2028年开始量产的“A14”制程将采用新技术“NanoFlex Pro”,与N2相比,逻辑密度将提升20%以上,每瓦计算速度将提升高达15%,预计将增强智能手机的AI功能。
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“A16”工艺计划于2026年下半年开始量产,将具有“业界领先”(该公司称)的后部电源性能和高逻辑密度,满足数据中心AI/HPC产品严格的信号布线和电源要求。
在人工智能需求不断增长的背景下,最重要的因素是能源效率和计算能力。台积电正在开发先进的逻辑以满足未来的需求。
据悉,日本富士通(Fujitsu)目前正研发2nm CPU “MONAKA”,预计将交由台积电代工生产。不过,富士通也表示,日本初创晶圆代工企业Rapidus 对于确保供应链稳定性来说非常有用。
据了解,富士通Monaka是一款面向数据中心的处理器,采用基于台积电的CoWoS-L封装技术的博通3.5D XDSiP技术平台,拥有36个计算小芯片。其中主要的CPU计算核心基于Armv9指令集,拥有144个CPU内核,采用台积电2nm制程制造,并使用混合铜键合 (HCB) 以面对面 (F2F) 方式堆叠在 SRAM tiles 上(本质上是巨大的缓存)。SRAM tiles是基于台积电的5nm工艺制造的。计算和缓存堆栈伴随着一个相对巨大的 I/O 芯片,该芯片集成了内存控制器、顶部带有 CXL 3.0 的 PCIe 6.0 通道以连接加速器和扩展器,以及人们期望从数据中心级 CPU 获得的其他接口。
报道称,富士通社长时田隆仁23日在横滨市召开的定期股东会上表示,目标量产2nm芯片的Rapidus对于富士通来说,“能增加先进芯片供应来源,对确保该公司供应链稳定性来说非常有用”。富士通也计划对Rapidus进行出资。
富士通正研发采用Arm构架的2nm CPU “MONAKA”,预计将在2027年推出,预估将应用于AI、数据中心等用途,且富士通正携手理化学研究所研发超级电脑“富岳”的后继机型,且计划搭载较当前研发中的“MONAKA”更强的CPU产品。


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