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[业界/制造] 中国科学家首次看清原子级声子传热,芯片散热难题迎来突破

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发表于 2025-7-30 00:07 | 显示全部楼层 |阅读模式

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北京大学高鹏团队在《自然》杂志发布突破性成果:他们用电子显微镜直接‘看’到了材料界面处原子级别的热量传递过程。这相当于给声子——热量传递的‘搬运工’——装上了高速摄像机,让我们第一次看清热量如何在两种材料的交界处‘卡壳’。这项技术对解决手机发烫、电脑过热这类老大难问题,可能带来革命性的进展。

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图释:用于可视化声子传输的显微镜技术。一个。实验设计示意图。b.AlN/SiC 界面附近的等温线分布(彩色线)和温度梯度方向(黑色箭头)。比例尺:200 nm。图片来源:自然 (2025)。DOI: 10.1038/s41586-025-09108-6
先说说声子是啥。想象一下,固体里的原子并不是静止的,它们时刻在各自的位置附近振动。这种集体振动在物理上被描述成一种叫‘声子’的准粒子。热量的传递,本质上就是这些声子带着能量在材料里‘跑动’。当热量遇到两种材料的交界面,比如芯片里常见的氮化铝(AlN)和碳化硅(SiC),声子跑过去就可能不那么顺畅了,形成所谓的‘界面热阻’。它就像高速路上的收费站,是导致电子设备发热的瓶颈。过去最大的难题是,这个‘收费站’到底有多宽?里面发生了什么?没人能在原子尺度上看清楚。

高鹏团队的法宝是一种基于电子显微镜的创新技术。他们巧妙利用了电子与材料相互作用时发生的‘非弹性散射’现象。当快速运动的电子穿过材料,它会与振动的原子(也就是声子)发生能量交换,这个过程携带了温度信息。通过精确测量这种散射,就能反推出局部区域的温度,而且分辨率达到了惊人的亚纳米级别——比一根头发丝的万分之一还要细!

他们为此专门定制了一个微型‘加热舞台’,让热量稳定地流过氮化铝和碳化硅的界面。结果‘拍’下的图像令人震惊:在高达每微米180开尔文(相当于1米长度上18万度的温差)的温度梯度下,跨越这个界面时,温度在短短约2纳米的距离内,骤然跳变了10到20开尔文!做个对比,在氮化铝或碳化硅材料内部,要产生同样大小的温度下降,需要几十到几百纳米的范围。这意味着界面处的热阻,比材料本身内部的热阻高了足足30到70倍!这就像一条宽阔的河流,在遇到狭窄的关口时瞬间被挤成了激流。

更关键的是,他们在界面附近大约3纳米的区域内,捕捉到了声子处于一种‘非平衡’状态。啥意思?就是这里的声子不再乖乖遵循平常温度下的能量分布规律(物理学家叫它‘玻色-爱因斯坦分布’),而是有点‘乱套’了。团队还调换了加热方向,让热量从另一边流过界面,通过比较两种情况下声子模式的分布,揭示了热量传递过程中动态的、非弹性的微观过程。这好比不仅看清了‘收费站’有多堵,还看清了车辆(声子)在里面是怎么碰撞、怎么交换信息的。

别小看这10-20度的变化和几纳米的区域。在指甲盖大小的芯片里,堆叠着无数这样的材料界面。每个界面都像一个小‘堵点’,积累起来就是巨大的发热量。过去设计散热方案,有点像蒙着眼猜‘收费站’的位置和效率。现在有了这种原子级别的‘热成像’技术,工程师就能像看地图一样,精确地知道热量卡在哪里、为什么卡住,从而设计出更有效的散热结构和界面材料。这对于制造更高功率、更不易发烫的电子设备,比如电动汽车的功率芯片、5G/6G通信基站的核心器件,意义重大。

《自然》杂志的资深编辑斯图尔特·托马斯评价说,在纳米尺度测温度本身就极难,而这项研究更进一步,揭示了热量如何跨越界面流动以及背后的声子作用机制。研究的材料(AlN/SiC)正是高功率电子器件的热门候选,其热管理至关重要。高鹏团队的这把‘原子热成像枪’,不仅看清了一个具体的界面,更重要的是提供了一种普适的方法论。未来,科学家可以用它去探究更复杂的界面、材料中的微小缺陷、乃至各种纳米结构内部的热输运奥秘。当散热设计从‘凭经验’走向‘看原子’,电子设备烫手的问题,或许真能迎来转机。


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