汽车电池前端保护的工作原理

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[size=1.1875]如果在启动、车辆保养或维修过程中反向连接汽车电池端子，则相关汽车电子模块中的组件如果无法处理故障情况，则可能会损坏。

[size=1.1875]那么，虽然反极性是一件危险的事情，但我们该如何预防呢？本文将回顾反极性解决方案，并分享一些可用于构建可靠汽车前端保护装置的设计理念。

[size=1.1875]反极性保护

[size=1.1875]反极性保护电路有三种基本类型，如下所述。

• 系列标准/肖特基二极管
• 高端P沟道MOSFET
• 高端N沟道MOSFET
  

[size=1.1875]图1上图所示的防反向二极管可保护终端设备免受反向电压和电流造成的损坏。

[size=1.1875]最简单的反极性保护方法是将一个标准二极管与电源轨串联，如下图2左侧所示。这种方法效果很好，但二极管两端的正向压降会在0.7 V至1.0 V之间。更好的方法是用肖特基二极管替换标准二极管，如下图右侧所示。肖特基二极管的典型正向压降在0.2 V至0.5 V之间。

[size=1.1875]图 2

[size=1.1875]在电源轨上串联一个标准二极管是实现反极性保护的最简单方法。

[size=1.1875]因此，保护系统免受反极性影响的最简单方法是使用标准或肖特基二极管，因为只有在其端子上施加正确的极性（正向偏置）时，二极管才会传导电流。

[size=1.1875]二极管技巧的另一种选择是使用MOSFET。MOSFET导通时，漏极-源极之间的电压降 (V DS ) 取决于漏极-源极电阻 (R DSON ) 和漏极-源极电流 (I D )。与标准二极管和肖特基二极管相比，MOSFET的电压降通常要低得多 (V DS = R DSON x I D )。

[size=1.1875]因此，下一个解决方案是使用增强型P沟道MOSFET与正电源轨串联。可以选择具有低漏源导通电阻(R DSON )的P沟道MOSFET，以最大限度地减少潜在的电压损失，从而减少散热。

[size=1.1875]图 3这是 P 沟道 MOSFET 与正电源轨串联运行以实现反极性保护的方式。

[size=1.1875]上图电路正常工作时，电流首先流过MOSFET的体二极管，其Source电压接近电池电压，此时Gate电压为0V（即相对于Source为负）。

[size=1.1875]此时，MOSFET导通，电流从漏极流向源极。齐纳二极管可以保护栅极-源极电压不超过额定电压。

[size=1.1875]然而，当系统处于反极性条件下时，MOSFET 体二极管将反向偏置，齐纳二极管正向导通。此时 MOSFET 关断，以保护系统免受反向电池电压造成的损坏。当然，如果需要，可以添加串联保险丝和双向瞬态电压抑制器来提供额外的保护。

[size=1.1875]同样，如果公共输入和输出接地轨无关紧要，那么也可以采用该电路的一个版本，即采用与接地（0 V）轨串联的 N 沟道 MOSFET（尽管这种方案在汽车电子中很少使用）。

[size=1.1875]简而言之，大多数基本的反极性保护电路都采用 P 沟道 MOSFET，其中高端 P 沟道 MOSFET 的栅极接地。如果输入端连接到正向电压，则电流会流经 P 沟道 MOSFET 的体二极管，到达负载端。如果正向电压超过 P 沟道 MOSFET 的电压阈值，则通道导通。

[size=1.1875]这样可以降低P沟道MOSFET的漏源电压，从而减少功率损耗。此外，MOSFET的栅极和源极之间连接了一个稳压二极管，以防止其栅极-源极电压出现过压情况。

[size=1.1875]现在来看看基于P沟道MOSFET的基本反极性保护电路的实用版本。我简单测试了一下，发现它工作正常。

[size=1.1875]图 4这是基于基本 P 沟道 MOSFET 的反极性保护电路的样子。

[size=1.1875]还可以使用放置在高端的 N 沟道功率 MOSFET 来实现反极性保护（图 5）。

[size=1.1875]图 5这是一个基于 N 沟道 MOSFET 的基本反极性保护电路。

[size=1.1875]在这种情况下，当电池正确连接时（源极连接到 BAT+），栅极-源极电压必须高于阈值电压 (V GS > V TH ) 才能打开 N 沟道 MOSFET。

[size=1.1875]鉴于源极连接到 BAT+，需要一个专用栅极驱动器芯片（带有集成电荷泵或降压-升压机制）来驱动 N 沟道 MOSFET 的栅极电压高于源极电压，从而打开 N 沟道 MOSFET。

[size=1.1875]当电池反向连接时，MOSFET 的体二极管反向偏置

[size=1.1875]驱动电路被禁用，N沟道MOSFET被关断。附注：像MPS的MPQ5850这样的智能二极管控制器可以驱动外部N沟道MOSFET，以取代肖特基二极管，实现反向输入保护。

[size=1.1875]图 6二极管控制器可以替代肖特基二极管来实现反向输入保护。

[size=1.1875]另一款用于实现反极性保护的N沟道MOSFET控制芯片是安森美半导体的NCV68061，这是一款理想二极管控制器。

[size=1.1875]为了澄清一些疑惑，反极性保护 (RPP) 控制器（也称为反向连接保护 (RHP) 控制器）与外部 N 沟道 MOSFET 搭配使用时，可提供低损耗的输入电源反接保护。然而，它不提供反向电流阻断 (RCB)。因此，反极性保护控制器仅适用于仅需要输入极性反接保护的应用。

[size=1.1875]另一方面，理想二极管控制器与外部N沟道功率MOSFET搭配使用时，可提供低损耗保护，防止输入电源反接以及从输出负载回流到输入的反向电流。因此，理想二极管控制器适用于需要输入反极性保护和反向电流阻断的应用。

[size=1.1875]补充说明一下，对于低压应用，可以使用集成理想二极管，因为它将理想二极管的全部功能集成到单个器件中。例如，Nexperia 的 NID5100-Q100 就是一款集成理想二极管，能够在无法承受传统元件高压降的低压系统中替代传统二极管。

[size=1.1875]静态和动态反极性

[size=1.1875]静态反极性是指电源以反极性（正极接负极，反之亦然）连接并持续保持该状态的情况。另一方面，动态反极性是指极性在短时间内短暂反转（例如瞬时连接错误），然后恢复到正确极性的情况。

[size=1.1875]您可能已经知道，但 ISO7637-2:2011 是一项国际标准，它规定了测试方法和程序，以确保安装在配备 12 V 或 24 V 电气系统的乘用车和商用车上的设备与传导电瞬变的兼容性。

[size=1.1875]图 7该图简要表示了汽车行业使用的测试脉冲。

[size=1.1875]ISO7637-2 标准定义了几种类型的测试脉冲来测试设备。这些测试脉冲具有不同的正负电压电平，用于对被测设备 (DUT) 施加应力，以检验其是否能够承受。

[size=1.1875]此外，在正常运行期间，汽车电池电压并非恒定，因为在ISO7637和ISO16750等汽车EMC测试标准规定的多项瞬态测试中，输入电压甚至可能为负（低至-150 V）。这意味着汽车电池前端保护绝对必要。

[size=1.1875]停止点

[size=1.1875]反极性保护对于任何电池连接系统都至关重要。本文介绍了一系列可用于为汽车电池提供实用前端保护（尤其是反极性保护）的解决方案。根据应用需求，选择任何一种保护技术都可能有利。

[size=1.1875]最后，千万不要低估坚固耐用的汽车机电继电器的作用。这种继电器的关键优势在于它能够处理极高的电流，且触点两端的压降几乎为零。正如下文所示，继电器是一种极其简单的有效反极性保护方法。

[size=1.1875]图 8继电器提供了一种简单的方法来实现有效的反极性保护。