Track也可以用来曝光？？！！

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WEE简介

一.光刻制程中，可曝光的不只是曝光机

借着这个话题，来说Track中的WEE，WEE英文全称（Wafer Edge Expose），追述一下WEE的渊源？想当年，EBR在洗边功能上当大哥的时候，WEE还穿着纸尿裤在床上哇哇乱叫呢?但后来呢，制程要求越来越高，EBR洗边对先进点的制程，以及某种特殊应用场景已经捉襟见肘了，所以才开发出WEE，WEE的优点在于它更能够精确控制曝光边缘的尺寸，而且还能够减少chemical带来的引入的一些缺陷。

二.WEE的工作过程及结构

实际上的WEE结构要比这些更复杂些，这仅仅是个示意图，当然也有其他结构设计，不再全部列举。激光通过光纤照射到晶圆边缘的位置上，同时晶圆保持旋转，调整边缘的水平距离来实现不同宽度的洗边，比如常见的2mm，4mm等，曝光后经历PEB，在显影chamber中去除掉光刻胶。其实WEE的设计跟EBR有相同的地方，只不过以前管路喷的是光刻胶溶剂，现在我靠光纤照明。

三.WEE的程序如何编制？

首先把这个动作描述一下，晶圆缓慢旋转一定角度，在光纤照射下完成曝光，通过控制光源扫过的长度来实现洗边宽度的控制。下面看个Recipe编辑界面。选自东京电子TEL ACT12。

Recipe中规定了Exp Width，也就是曝光的宽度，或者理解为EBR洗边的宽度。以及晶圆要旋转的角度，Start ang.  From 0degree to 360 degree,从0度扫描到360度正好完成一个圆周的曝光。还对晶圆cycletime进行设置，就是多少花多少时间完成边缘曝光。总结一下，WEE的参数，时间，宽度，扫描角度。