半导体制造里的Track是如何工作的？

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一.关于Track

Track，翻译过来是轨道的意思。在黄光区域，也就是光刻区域，Track是最常见的机台，Track里面完成衬底胶黏附处理，光刻胶匀胶，光刻胶烘烤 （Pre-bake，Post-Bake，Post Expose Bake），光刻胶冷却，以及显影工序，共计5道工序，当然根据不同的制程可能会增减！

小伙伴们已经有点懵逼了吧，的确！信息量太大很不好接受。下面我再给你们捋捋：

Chamber	作用
黏附单元（ADH）	晶圆衬底疏水处理
冷板（CPL）	对晶圆进行冷却
匀胶（COT）	形成一定膜厚的光刻胶
热板（LHP,CHP,PCH）	对光刻胶烘烤，名字多（纸老虎）
边缘曝光（WEE）	对晶圆边缘进行曝光
曝光（EXP）	对晶圆进行曝光
显影（DEV）	对曝光后的晶圆进行显影

打算一个chamer，一个chamber讲下去？不知道大家是否感兴趣，这部分内容比较专业，受众面小。

二.关于WEE跟EBR洗边

老外们总爱搞一些缩写，所以这个行业的门槛还是有一些的，不是很容易看懂，需要师傅带路的。

首先WEE 即硅片边缘曝光（WEE，Wafer Edge Exposure），在完成图形的曝光后，用激光曝光硅片边缘，然后在显影或特殊溶剂中溶解这部分光刻胶。

EBR（Edge Bead Removal）涂胶光刻胶涂覆后，硅片边缘会有光刻胶的堆积，且边缘的光刻胶一般涂布不均匀，不能得到很好的图形，所以需要去除，另外在MEMS领域，洗边是为了露出金属层，连接电镀阴极。

那么EBR跟WEE有哪些区别呢？在宏观处理效果上看，EBR 处理之后的wafer efge 边缘还是比较粗糙，边缘不是很平滑，而WEE 处理后边缘平滑，一般情况下对于刻蚀layer不能用EBR洗边，对于刻蚀layer来说如果用EBR，那边缘毛刺在刻蚀完毕之后就会形成defect 源，影响刻蚀良率。