全球首款 300 mm GaN 技术曝光！

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9月12日，英飞凌在官网宣布：已成功开发出全球首款300 mm（12英寸）功率氮化镓（GaN）晶圆技术。

与 200 mm 晶圆相比，300 mm 晶圆上的芯片生产在技术上更先进，效率更高，因为更大的晶圆直径每个晶圆可容纳 2.3 倍的芯片。

300 mm GaN 技术可以提高效率性能，缩短尺寸、减轻重量，降低成本。除此以外，300 mm GaN 技术通过可扩展性确保了客户供应稳定性。

该技术的突破将加速 GaN 在汽车、工业和消费电子等行业的采用。包括AI系统的电源供应器、太阳能逆变器、充电器和适配器以及电机控制系统。

英飞凌首席执行官Jochen Hanebeck表示：“这一显著的成功是我们创新实力和全球团队专注工作的结果，旨在展示我们作为氮化镓和电源系统创新领导者的地位。”

作为电源系统的领导者，英飞凌掌握了所有三种相关材料：硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）。

300 mm GaN 技术的一个显著优势是可以利用现有的 300 mm 硅制造设备，因为氮化镓和硅在制造工艺上非常相似。完全按比例生产的 300 mm GaN 将有助于在 RDS（on） 级别与 GaN 成本持平，这意味着同类 Si 和 GaN 产品的成本持平。

目前，英飞凌在其现有的 300 mm 硅生产中，成功地在一条集成试验线上制造 300 mm GaN 晶圆，并将根据市场需求进一步扩大 GaN 产能。

300 mm GaN 技术能够帮助英飞凌塑造不断增长的市场。预计到2030年，该市场将达到数十亿美元。

据悉，首批 300 mm GaN 晶圆将于 2024 年 11 月在慕尼黑展会上亮相。

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加快了功率氮化镓制程了

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