英韧科技12纳米高性能DRAMless PCIe Gen4 SSD控制芯片RainierQX闪耀

shuszhao · 发表于 2021-9-12 09:44

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继2020年在全球范围内率先量产12纳米PCIe4.0 SSD主控芯片Rainier IG5236及IG5636（企业级）后，英韧科技于2021年9月7日发布Rainier系列全新产品——12纳米高性能DRAMless PCIe Gen4 SSD控制芯片RainierQX。

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RainierQX采用四通道PCIe Gen4接口，支持4个NAND通道，每个通道最多8个CE片选通道，全面支持NVMe1.4协议。RainierQX还具有以下优势：

●采用业界领先的技术，通过独立平层访问，以实现极致高速的读取访问，并在有限的芯片数量的情况下，有效提高4K随机读取性能高达1M IOPs以上；
●顺序读取性能超过7GB/s，顺序写入性能超过6GB/s；
●专有ECC解决方案采用先进的4K LDPC技术，为最新的TLC和QLC提供卓越的纠错能力，并提供功耗感知多级解码策略；
●超大SSD容量高达4TB。
值得一提的是，RainierQX具有增强的12纳米FinFET设计的无DRAM架构，英韧科技董事长兼首席执行官吴子宁博士表示：“在DRAM成本增加，PC OEM和渠道市场面临巨大成本压力的市场环境下，RainierQX将成为目前无DRAM控制器的最佳解决方案。
RainierQX在提供低功耗、实现更低BOM成本的同时，因采用业界最快的2400MT/s NAND通道接口和专有数据路径加速器，仍可以提供与DRAM解决方案相同的峰值性能，这使得该方案明显优于同类产品中的其他解决方案。”
自成立以来，英韧科技致力于通过提供高性能、低功耗、安全、可靠的存储控制芯片，解决人工智能和其他大数据应用中的数据存储和数据传输问题。面对市场的多元变化，英韧科技已做好充分准备，专注目标，持续深耕，赋能产业，助力存储技术的更快发展。