意法半导体造出世界首批8吋碳化硅晶圆

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意法半导体（ST）11 日宣布，瑞典Norrköping 工厂制造出首批8 吋（200mm）碳化硅（SiC）晶圆；

将SiC 晶圆升级到8 吋代表ST 对汽车和工业客户的扩产计划获得阶段性成功，且提升功率电子芯片轻量化和能效，并降低客户获取产品成本。意法半导体汽车和离散元件产品部总裁Marco Monti表示，汽车和工业市场正在加速推动系统和产品电气化的进程，升级到8 吋SiC 晶圆将为ST 的汽车和工业客户带来巨大优势；藉由覆盖在SiC 生态系统领域累积的深厚专业知识，可提升ST 的制造弹性，还能更有效地控制晶圆良率和改善品质。
ST 先进的量产碳化硅STPOWER SiC 目前由意大利卡塔尼亚和新加坡宏茂桥两家6 吋晶圆厂完成前段制程制造，后段制程制造则在中国深圳和摩洛哥布斯库拉的两家封测厂进行。这个阶段性的成功是ST 布局更先进、高成本效益之8 吋SiC量产计划的一部分；ST 正在执行新建碳化硅基板厂和内部采购碳化硅基板比重超过40% 的计划（到2024 年）。
据悉，ST 首批8 吋SiC 晶圆品质十分优良，对芯片良率和晶体位元错误之缺陷非常低。低缺陷率归功于ST 碳化硅公司（前身为Norstel，2019年被ST 收购）在SiC 硅锭生长技术深厚积累的研发技术。除了晶圆能满足严格的品质标准，升级到8 吋SiC 晶圆还需要对制造设备和支援生态系统的升级，ST 正与供应链上下游技术厂商合作研发专属的制造设备和生产制程。

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罗塘阮经天

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