美光发布新DRAM内存：性能提升15%，功耗降低20%
美光科技近日宣布，已开始向客户提供其采用创新性 EUV（极紫外）光刻技术生产的 1γ（1-gamma）制程 LPDDR5X 内存样品。据称这款新品不仅具有更高的性能效率，更重要的是标志着美光正式开启应用 EUV 光刻技术量产 DRAM 芯片的进程。美光首席执行官桑杰·梅赫罗特拉表示：“我们在 1γ DRAM 技术节点的进展卓著，良率提升速度已超越我们之前在 1β（1-beta）节点创下的纪录。本季度我们达成了若干关键产品里程碑，其中包括完成并出货了首批发往客户进行认证的、基于 1γ 制程的 LP5 DRAM 样品。”美光的 1γ 制程技术是其第六代 10 纳米级生产工艺节点。相较于上一代的 1β（1-beta） 技术，该制程有望将 DRAM 芯片功耗显著降低 20%，同时提升性能达 15%。尤为突出的是，新技术的存储密度提高了 30%，这是一项巨大飞跃。一旦新制程的良率达到与 1β DRAM 相当的水平，这一高密度优势将极大地抵消生产成本。值得一提的是，此次推出的基于 1γ 制程的 LPDDR5X 芯片并非美光该技术的首次亮相。今年早些时候，美光已发布了采用相同技术的 16Gb 容量、运行速率高达 DDR5-9200 的芯片，标榜兼具更高性能和更低功耗。不过，美光并未透露这款产品样品测试的最新进展。不过美光计划将其第六代 10 纳米级 DRAM 制程扩展至其全线内存产品阵营，包括 DDR5、LPDDR5X（现最高支持至10.7 GT/s 的数据传输速率）、GDDR7 以及面向数据中心的产品。“我们将把 1γ 制程全面应用于整个DRAM 产品组合，充分利用这一领先技术带来的优势，”梅赫罗特拉强调道。值得注意的是，美光在主要 DRAM 制造商中属于“后来者”，是其最后一家在其关键制程节点（即 1γ）中引入 EUV 光刻技术进行量产的厂商。尽管美光尚未具体说明有多少层生产环节应用了 EUV 光刻，业界推测其主要用于替代原本需要耗时多重曝光的、最复杂的制造层。1γ 技术实际上采用了 EUV 与传统深紫外（DUV）多重曝光相结合的策略，并引入了升级版高介电常数金属栅（high-k metal gate）以及经过重新设计的后端工艺（BEOL）电路。美光当前在日本生产 1γ DRAM，其首批 EUV 设备已于 2024 年在该地投入使用。据称，美光正计划进一步扩充其在日本及台湾的 EUV 产能布局。
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