Yole 报告分享：Next-Generation DRAM 2024 Focus on HBM and 3D DRAM
今天米高分享的是 Yole 半导体设备行业报告《Next-Generation DRAM 2024 Focus on HBM and 3D DRAM》，Yole 在这份226页的报告中聚焦下一代DRAM技术，核心围绕高带宽内存（HBM）和3D DRAM的市场、技术与竞争动态。关键内容包括：市场动态与历史波动DRAM行业以周期性波动著称，收入受供需影响显著。2023年全球DRAM市场收入约509亿美元（同比降15%），主要因库存过高和宏观经济下行导致价格大跌（-42%）。历史显示，行业每4-5年经历一次峰值（如1995、2018年），后伴随数年下滑。玩家份额方面，三星主导数据中心和移动领域（2023年份额最大），SK海力士领先PC DRAM，美光则在汽车市场占优。预计2024-2025年新上行周期启动，驱动因素包括产能投资不足和AI需求增长，2023-2029年收入复合年增长率（CAGR）约20%，达1500亿美元。HBM技术竞争与前景HBM作为高性能3D堆叠DRAM，通过宽接口（1024位）提供超高带宽（HBM3达819GB/s），用于AI/GPU应用。玩家格局激烈：SK海力士2022年首发HBM3（8-12层堆叠），成为NVIDIA独家供应商；三星紧追但落后；美光跳过HBM3直攻HBM3E（2024年量产）。HBM4（2026年）计划采用铜-铜混合键合技术，支持16层堆叠和≥2TB/s带宽。相比GDDR（窄接口、高速率），HBM更昂贵但带宽优势明显，推动市场加速增长。3D DRAM与中国路径传统DRAM缩放遇瓶颈（如光刻限制），3D DRAM成为替代方案，使用“宽松”节点（如20nm）无需EUV设备。中国公司（如CXMT、YMTC）因贸易限制无法获取先进设备，正大力探索3D路径（如YMTC的Xtacking技术）。Huawei也在日本研发3D DRAM，聚焦逻辑-内存异构集成。这一策略使中国避开限制，通过先进封装和More-than-Moore方案发展高性能AI芯片。未来DRAM增长由HBM（带宽需求）和3D技术（成本与创新驱动），资本密集度上升（沉积/蚀刻设备占70%支出），但混合键合等封装技术将成关键赋能。贴主你好，这个报告可以分享一下吗，1641855770@qq.com
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