综述┃金刚石基GaN功率器件在下一代的应用
热管理及可靠性理论计算表明，GaN-on-diamond界面的热边界电阻（TBR）可低至3 m²K/GW，远低于SiC衬底。这使得电子-声子耦合在该技术中发挥关键作用，促进能量高效传递，进一步降低界面热阻，提升散热效率，显著缓解自热效应。推荐阅读深圳大学刘新科团队以“GaN-on-diamond technology for next-generation power devices”为题在MaM上发表综述文章，半导体器件的热管理和可靠性一直是业内关注的热点。
GaN材料虽具备诸多优异特性，理论上能实现超高功率密度，但实际应用中，其产生的大量热量难以有效散发，导致结温升高，严重限制了器件性能。 将金刚石作为GaN器件的衬底，能显著提升散热效率，有效降低结温，增强器件的可靠性和稳定性，GaN-on-diamond技术应运而生。 当器件功率密度达到6 W/mm时，沟道温度可超200 ℃，极大缩短了器件寿命。而传统的硅（Si）、碳化硅（SiC）等衬底材料，因热导率有限，无法满足GaN器件的散热需求。
在此背景下，具有超高热导率（2200 W/m/K）的金刚石脱颖而出。
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