半导体工艺（十二）:钝化层和Al pad
在半导体工艺top metal之后，上面需要开pad与后道封装相连接。Al具有优良的延展性、导热性以及焊接熔合性能，可以达到理想的外接效果；同时Al在富氧环境下表面形成致密Al2O3薄膜，使得它本身具有很强的化学稳定性，不易被腐蚀。
当然为了避免周围环境气氛和其他外界因素对器件性能影响，还需要在最上层覆盖一层保护膜，也就是钝化层。
对钝化层要求如下:
物理性质1.电绝缘性好，介电常数大；2.界面电荷少；3.对杂质有阻挡和掩蔽扩散的能力；4.有抗Na+漂移的能力；5.有一定抗辐射能力；6.与衬底材料有相近的膨胀系数；7.有疏水性。
化学性质：1.化学稳定性好；2.抗腐蚀能力强。
机械性能：1.针孔少，密封性好；2.粘附性好；3.压力小，不产生龟裂；4.机械强度高。
具体工艺分成三大步：
1. Redistribution Via RV 先dep SiN作为钝化层和stop layer，也防止下层Cu diffuse；然后dep OX作为应力缓冲层，再涂胶光刻，形成via。
2.APL dep：先dep TaN防止Cu和Al diffuse；再dep glue layer Ti/TiN;然后dep Al。这里Al厚度根据芯片电流需要调整，一般电流大的，需要更厚的Al。
3.Chip Barrier CB:dep SiN作为钝化层，然后光刻把Al上方刻开，作为外接窗口。
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