110GHz带宽突破！南智光电硅基TFLN调制器核心工艺取得重大进展
最新成果
5月24-25日，由中国通信学会主办的“第三届太赫兹通信技术论坛”在南京顺利召开。在大会专题报告环节，南京大学谢臻达教授代表南智光电工艺开发团队发布一项最新成果：基于硅基薄膜铌酸锂（TFLN）的电光调制器制备工艺在超高频性能测试中取得突破。
据介绍，该调制器在110GHz高频下的频率响应衰减仅约2dB，3dB带宽成功突破110GHz，显著优于现有主流技术路径，充分验证其在超宽频段内的低损耗、高保真能力。此次性能突破，得益于南智团队采用的硅衬底去除工艺，有效克服了传统硅基平台在高频下的寄生效应瓶颈，大幅降低微波传输损耗。该调制器的制备工艺可应用于硅光薄膜铌酸锂异质集成芯片的加工制备，为硅光-TFLN异质集成芯片提供了可扩展的核心技术路径，可满足高带宽并兼容硅光子平台的高密度集成需求。
目前，该系列核心参数和工艺流程正在纳入南智光电PDK（工艺设计套件）基础库，将为定制化光子芯片设计提供更加标准化、模块化的技术支撑。与此同时，南智光电已启动基于硅光晶圆的TFLN异质集成工艺开发，目标是实现110GHz以上带宽的高性能光电芯片规模化制造，加速其在下一代数据中心共封装光学（CPO）、先进通信系统与光子计算架构中的产业化落地。
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