NEO发布新型3D X-DRAM技术，使用IGZO材料提升存储密度
这篇论文介绍了一种新型的3D X-DRAM技术，使用IGZO材料提升DRAM的存储密度和能效。重点包括1T1C和3T0C单元结构的设计优势，以及通过3D NAND类似的制造流程降低成本和提高可扩展性。
报告来自于NEO Semiconductor，介绍了其3D X-DRAM技术可解决2D DRAM在10nm以下节点的电容缩放瓶颈，并且具有性能优势和成本优势，对比了1T0C（无电容浮体单元）、1T1C（集成IGZO晶体管与电容）、3T0C（电流感应增益单元）三种单元设计对比，强调IGZO的低漏电流特性，应用场景包括AI与内存计算（IMC），测试芯片计划于2026年推出。
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