这类光刻缺陷，想跑都跑不了？
一、光刻中的“PR Residue”缺陷要说光刻中的PR Residue缺陷，这可是光刻最最最常见，sufer rate最最最高的缺陷了，适用范围最最最广的缺陷了，无论你是Immersion，还是Dry，还是其他各自各样的机台，独立的台，集成的Track，无论你是IC制程、 MEMS制程、先进封装制程，还是面板制程，都无一幸免！说这些，有什么用呢，就是在强调他的重要性，光刻人必须必须必须知道的，且会处理的缺陷，他可比我上篇文章光刻人必须知道的缺陷？提到的Poor Coating常见的多了。那么就说一下吧，什么叫做”PR Residue",简言之，就是显影后光阻的残留，小编想多说一句，要体现小编的水平了,显影的PR Residue有很多学问的，细心的光刻人，或者资深的光刻人，可能会知道，它其实有两种不同的情形，一种叫做显影Residue，一种叫做Rinse Residue，简单解释一下，第一个是显影问题造成的光阻残留，第二个是Rinse造成的光阻残留，像我之前在PR Bridge缺陷中提到的一种光阻桥连，它就是一种PR Residue（尚且不考虑它的原因），关于任何阻挠我们前进的敌人，我们第一步先认识它，后面我们想办法消灭它！讲到此，我想说一句，忽略整体，只考虑局部，或者只考虑整体，忽略局部都是不正确的！我希望，我写文章，废话少说，于理于识，都能够让大家受益，传达正向的思想，这是我的目的。好！看下这两类缺陷的形貌！来吧，看圈起来的部分，正是显影Residue了，我这么表达其实也不太准确，他看起来有点像光阻桥连，如果你这么想，恭喜你，对了，他也是桥连缺陷，“桥连”这个词汇，只不过从形态上描述了一下这类缺陷的形貌特征。讲到此，我突然想到我曾经曾经的曾经的一位老师告诉我的一句话,他对大自然，对知识保持着虔诚敬畏的态度，他说“在自然科学面前，我不可能准确的去给他下定义，或者就某一自然现象准确地描述出来，我只能在一旁静静地观察它，然后期盼我能够认识它，更接近它的真实面目”我定义为“显影”造成的PR Residue，容易让大家误以为只有显影造成这种缺陷，暂且原谅我吧，但实际上，他只是一个必要条件！先认识形貌，其他的我后面细讲！这里，我们不考虑哲学问题，也不考虑认识问题！当我们深入思考的时候，会发现，这个世界一切都是虚假的，骗人的，一切都可能被颠覆，或许伟大的科学诞生于对这个世界的质疑，但科学家他很坏，我站在你的肩膀上，却要质疑你。话说的，有点多，可能好几天没更新文章了，大家担待!
那么，我们来看第二类形貌!
从形貌上看，就是没冲洗干净，导致光阻的残留，所以它叫做Rinse Residue，当然了，在实际的工艺中，它的特征跟由于工艺窗口问题造成的区别还是很大的，这种看起来就是没冲干净，而第一种就是光刻胶该显影的地方，去除能力不够造成。
工程中，往往是很复杂的问题，但他们都是由简单问题组成的！第二、造成“PR Residue”的原因第一种缺陷造成的原因分析如下：1）总体上的原因是clear区域（显影区）该去除的光刻胶没有去除干净，这句话等于废话，却高度，我由易到难，由少见到常见去分析：
a）首先从工艺窗来看，可能是显影能力不足，包括显影显影方式，显影时间；b)显影硬件上Nozzle等方面，window margin；c）对CAR光刻胶而言，PEB是否合适，从温度、时间、还有热板间距的角度去考虑，反正就是扩散不够，光酸反应不够充分；d）曝光能量是否Margin，适当提高曝光能量，增大工艺窗口；e）机台波动，比如说Dispense abnormal 在某一刻，DEV Nozzle某一刻波动造成；第二种缺陷造成的原因分析如下：a）显影Rinse强度不够，增加时间或者rinse flow.b）机台异常波动，rinse error
第三、我们要做什么动作
检查一下DEV Chamber Condition：
[*]DEV Nozzle if dirty,
[*]Dispense conditon flow rate if abnormal,
[*]Monitor Particle and PDM
[*]Check and Clean DEV Cover.
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