hdy 发表于 2025-5-7 23:40

半导体行业发展简史(六)——韩国


“企业及企业家”系列说明
成功的企业都是相似的,从成功企业的发展历程中找共性要素,可以明确在这些成功的必要条件上,自省本身还有哪些差距;欠发展的企业可能各有各的症结点,则可以从大量的田野调查中得到启发。总之,了解更多的企业案例并进行思考总结,对于企业的发展是有帮助的;同样的,了解更多的人物案例并进行思考总结,对于个人的发展也是有帮助的。
1959年,韩国LG公司的前身“金星社”研制生产出韩国的第一台真空管收音机,不过当时并没有集成电路的开发能力,对进口半导体元器件的组装是其起点。十余年后,三洋和东芝开始在韩国投资半导体业务,而韩国政府于1975年也发布了支持半导体产业发展、以实现电子配件及半导体生产本土化为目标的“六年计划”。此时韩国的半导体行业仍然处于简单的组装加工水平。20世纪70年代,三星从收购韩裔美籍科学家姜基东创立的半导体公司50%股份起步,进入了半导体领域。1974年,姜基东设立了第一家本地的半导体公司,但是很快便发生了财务危机。姜基东在美国俄亥俄大学获得博士学位,曾在摩托罗拉公司从事过集成电路的设计工作。三星公司介入后,获得了很多隐性知识,并将这些技术知识推广至三星的工程师,为三星双极和金属氧化物半导体制造技术后来的发展奠定了基础。这些知识的积累,为1982年三星谋划从5微米至2.5微米的电路、从3英寸至5英寸的硅片、从1KB/16KB大规模集成电路至64KB超大规模集成电路奠定了基础。这些基础,使得他们在拜访美国专家的过程中,得以与其开展深入、专业、有理有据的研讨,从中辨别潜在技术供应商、市场特征和生产工艺结构。20世纪70年代,三星已经在家电领域有所积累。李秉喆发现,影响家电性能的核心便是芯片,由此萌发了进军芯片开发的想法。1983年,李秉喆决定正式进军半导体行业,他说:“这个项目,三星赌上了全部。”应该说,李秉喆的这个决定,是经过深思熟虑后做出的。此前的韩国在半导体技术上无任何优势,政府和李秉喆周围的人都不看好这个决定,只有从美国乔治·华盛顿大学学成归来的三子李健熙说:“爸,就算只有我一个人,也要试试那件事!”李秉喆决定让李健熙放手一试,李健熙先后50多次前往硅谷引进技术和人才,最终还是未果。不过,经历两次石油危机后,李秉喆敏锐地意识到身处资源匮乏的韩国,半导体才是三星的未来:“一定要在我闭眼之前开始这个事业,这样三星才会安然无恙。”在正式进军半导体领域(1983年三星在京畿道器兴地区建厂)后,三星从斯坦福大学、明尼苏达大学等招聘了5名分别在IBM、霍尼韦尔、英特尔、国民半导体、齐拉格公司从事过设计工作的韩裔科学家和工程师,以及数百名美国和日本的科学家、工程师。同时,三星在前期的完善布局基础上,从镁光科技公司获得了64KB随机存储器芯片设计的技术许可,从日本夏普公司取得了夏普“互补金属氧化物半导体工艺”制造技术的许可协议并购买了密封技术,以200万美元从美国Zytrex公司购买了高速处理设备的技术许可。在此过程中,三星的信息收集和分析工作为其发挥了重要作用,如获得镁光科技公司的技术许可,便是在得知镁光科技公司因财务困难愿意授权技术后实现的。在此之前的1979年,三星曾与仙童半导体讨论64KB随机存储器芯片技术转移的可能性,但无果而终。此外,三星还曾试图从德州仪器、摩托罗拉、日本电气、东芝和日立获得技术许可,但都遭到拒绝。在获得技术许可后,三星派工程师到技术许可授权公司学习,加速了技术学习的进程。此外,三星的工程师也参与日本企业承建的厂房建设,从中积累知识。从各类招聘、合作、咨询的科学家和工程师以及从公开文献中转化而来的知识,加速了三星的技术学习进程。把握发展方向和发展规律的前提下谋时、谋势,是三星的崛起之道。1987年,在经历了内存价格暴跌后,当时的三星半导体仍无任何盈利。这一年,李秉喆去世,李健熙接任三星集团会长。“越是困难,就越要加大投资”是李健熙的半导体经营理念。这一经营理念的来源,与李秉喆的教诲有关。李秉喆奉行“石桥也要敲一敲再过”的理念,而在父亲的熏陶下,“做一名好的倾听者”成为李健熙的座右铭。李健熙在管理中不轻易发言,做指示前会问6个问题:“为什么要开创这个事业?为什么要选这个地理位置?为什么要在这个时期?为什么要选这个人?资金投入值不值得?这样做的目的是什么?”由此可见,逆周期投资也是李健熙深思熟虑后的决定。后来的结果证明,李健熙的判断是对的。1987年,美国向日本发起半导体的反倾销诉讼,双方达成出口限制协议,内存价格回升,三星在这一轮的投资中崛起,实现了经营盈利、技术升级。20世纪90年代,三星面临被美国的倾销控诉时,李健熙敏锐地抓住时任美国总统克林顿重视硅谷的特点,向美国白宫、议会、贸易及科技部门人员进行游说:“如果三星无法正常制造芯片,日本企业占据市场的趋势将更加明显,竞争者的减少将进一步抬高美国企业购入芯片的价格,对于美国企业将更加不利。”因此,美国仅象征性地向三星收取0.74%的反倾销关税,三星度过了危机,而三星也由此建立了全球化的公关团队。后来,三星的动态随机存取存储器“双向型数据通选方案”被美国半导体标准化委员会认可,成为与微处理器单元匹配的对象。新标准再次对日本集成电路产业造成了冲击,需要按新标准设计动态随机存取存储器的日本企业失去了抢占市场的时机,韩国和中国台湾企业开始反超日本。从某种角度上看,三星的逆周期策略也可以用“集中优势兵力、重点突破”来形容。在投资过程中,三星除了碾压对手外,还在低潮期大规模地招揽人才、提升技术,从长周期来看具有合理性。在具体的执行过程中,李健熙作为三星集团的会长拥有最高的决策权,但是各业务部高管也有独立的决策权。在会长与业务部高管间,三星还设立了搜集、分析信息和决策支持的秘书室,其概念源于第二次世界大战中日本的参谋组织。李秉喆曾留学日本,深受日本文化的影响,而三星的秘书室于1959年在曾任日军大本营作战参谋的濑岛龙三帮助下建立。20世纪70年代,李秉喆在业务扩张中参照三菱、三井等经验加强秘书室的职能,从早期的信息收集、财务等6个小组扩展至人事、经营管理等15个小组。李健熙任会长后,秘书室曾改组为结构调整总部、全球战略室、未来战略室,但是其信息收集与分析功能、人事调整权和资源分配权却始终具备,而三星也通过“会长―秘书室―业务部高管”的体系在业内成就了“决策快”的声誉。三星的这种决策体系,使其得以在多元化的经营中“全面开花”。在进军集成电路前,三星电子于1969年成立,1974年开始量产冰箱和洗衣机,而1983年开发的64MB动态存储器则成为其在半导体领域的起点,其前期大量的调研、高效的组织为工程进度提供了保障。《三星的60年历史》一书中记载:“半导体工厂需要生产满足以微米为单位的超精密产品的要求,而这样的工厂是第一次建立,并且必须保证高生产收益率,工程的要求可谓十分严苛。”此后,1987年三星在“逆周期投资”中在日本东京设立海外研究所。1990年三星开发出世界最早的256MB动态存储器,宣告三星正式超越了日本企业的技术,而后在20世纪90年代在与日本的内存芯片竞争中占据全面主动。同时,三星开始了在显示器、手机等领域的赶超步伐:2006年三星超越日本松下电器成为全球最大的液晶电视供货商;2007年三星超越摩托罗拉在手机领域位居全球市场占有率第二;2010年三星电子营业额超越惠普;2011年三星电子在西欧首次超过诺基亚引领智能型手机和功能型手机市场。随着一系列的赶超,三星形成了半导体、移动通信、数字图像、电信系统、信息技术解决方案及数字应用七大事业群,还涉足金融、造船、免税店、主题公园等多个领域。作为垂直一体化制造商,三星建立了动态随机储存器和NAND闪存领域的优势,同时还利用其晶圆生产线的高产能优势,自2005年开始大力涉足晶圆代工业务。在晶圆代工业务中,苹果一直与三星保持着战略合作关系。在双方因智能手机的专利诉讼等导致合作关系僵化后,苹果逐步牵手台积电,但三星仍然是晶圆代工厂商中的重要参与者。在三星后,现代、LG和大宇均向大规模集成电路进军,这为后来韩国芯片全产业链的布局埋下了伏笔。总体上看,20世纪80年代初韩国的集成电路产业还很薄弱,无论是集成电路的设计和制造,还是配套的设备企业都是如此。以配套设备企业为例,当时为数不多的企业中,申松(Shinsung)主要生产化学气相沉积设备和洁净室设备,DMS生产掩膜、湿法刻蚀设备和清洗设备,LG生产自动测试设备。三星下定决心加大投资,再加上韩国政府的大力支持,韩国的集成电路企业逐步打造了三星、LG等知名企业。1986年,由韩国电子通信研究所牵头,韩国政府联合三星、LG、现代和韩国6所大学将4MB动态存储芯片作为国家重点项目进行研发,3年间研发投入1.1亿美元,其中57%投资由政府承担。20世纪90年代,韩国三大财阀重金投入58个研发中心,进一步在技术创新中掌握了主动权。1994年,韩国推出了《半导体芯片保护法》,对集成电路的技术发展进行保护。1999年,韩国通过“智慧韩国21工程(Brain Korea 21)”等计划对大学和研究的集成电路发展进行了精准扶持,政府与大财团的支持也为韩国集成电路的发展提供了足够的资源。由此,韩国逐步形成了以三星和SK海力士为龙头,制造、设备和材料企业互为补充的产业链,还形成了龙仁、化成、利川等集群。其中,韩国半导体产业集群发展所需的设备,有相当部分从韩国半导体企业或其他企业中分拆而来,而韩国政府和企业对其进行扶持。2009年以来,三星电子、海力士为了降低设备和原材料的海外依存度,通过股权投资、合作开发或产品采购等多种方式支持设备的本地化开发。例如,2009年底,三星电子、海力士联合注册发展低压化学气相沉积、蚀刻设备,铜制造工艺化学机械研磨设备,关键点测量设备,离子掺杂设备等。此外,韩国的设备企业还借鉴了设计和制造企业的国际合作经验,积极开展国际合作研发项目。例如,2007年韩国与美国达成的合作研发协议中,在设计上与加州大学伯克利分校合作,在制造工艺上与斯坦福大学合作,在设备材料上与得克萨斯州大学达拉斯分校合作。得益于技术上的进步,国际半导体设备研发合作、标准制定组织也开始吸收韩国的设备企业参与,从而又进一步助推了韩国的集成电路产业发展。20世纪80年代至90年代,在日本与美国的半导体行业竞争中,英特尔向更高端的微处理器转型,而日本企业的对美出口则受到了贸易挑战。此时,以三星为代表,韩国集成电路企业找准了市场方向,以通用性强的动态存储器为重点,在“逆周期投资”等策略下集中优势对日本企业发起了赶超之路。20世纪90年代,三星的动态存储器“双向型数据通选方案”被认定为行业标准后,韩国的动态存储器产品全面超越日本。同时,在20世纪90年代的全球集成电路垂直分工历程中,韩国政府顺应趋势对芯片设计企业加以支持,加速了设计的国产化进程。其后,韩国企业在其产品系列向多领域扩展的同时,也逐步建立了上、中、下游完善的全产业链。在该进程中,三星在进入初期用了半年时间收集和分析信息,对技术和市场有了成熟的理解,并且制定了可行的发展策略,做好了很多隐性的知识储备。除公开文献外,隐性信息重要来源是韩裔的美籍科学家和工程师,他们的建议为三星的显性知识、隐性知识的消化吸收奠定了基础。在韩国,除三星电子外,由现代电子分离而来的海力士半导体(Hynix)也是全球动态存储和闪存芯片领域的重要厂商。在2001年从现代集团分离出来前,现代电子已经于1999年收购了LG半导体,分拆后则改名为海力士半导体。2004年,海力士将系统芯片业务出售给花旗集团,成为专业的存储器芯片制造商。2012年,韩国财阀SK集团宣布收购海力士,更名为SK Hynix。

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